近日，英特尔大连工厂二期扩建项目主体建筑结构已建设完毕，有望近期实现投产，生产当今世界最前沿的新一代存储芯片——非易失性存储器。 

　　去年5月，英特尔投资55亿美元建设的非易失性存储器制造工厂生产出了第一枚存储芯片，同时启动二期扩建项目。眼下，二期扩建项目厂房的洁净室生产厂房、中央动力厂房、仓库等都已经建设完毕。 （摄影记者 朴峰）